Magnetic Memory

WO2012127722 Art A1 27. September 2012

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012127722
Aktenzeichen: EP11861387
Anmeldetag: 14. Oktober 2011
Veröffentlichung: 27. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246G11C11/15H01L27/105H01L29/82H01L43/08

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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