Field-Effect Transistor

WO2012127922 Art A1 27. September 2012

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012127922
Aktenzeichen: EP12760775
Anmeldetag: 9. Februar 2012
Veröffentlichung: 27. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/3205H01L21/768H01L23/52H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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