Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2012127960 Art A1 27. September 2012

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012127960
Aktenzeichen: EP12760349
Anmeldetag: 21. Februar 2012
Veröffentlichung: 27. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/8234H01L27/088

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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