Gate valve unit, substrate processing device and substrate processing method thereof

WO2012128029 Art A1 27. September 2012

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012128029
Aktenzeichen: EP12760170
Anmeldetag: 6. März 2012
Veröffentlichung: 27. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/44F16J15/10F16J15/52F16K3/18F16K27/00F16K49/00F16K51/02H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Maschinenelemente & Fluidtechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von