Method for producing gallium nitride layer and seed crystal substrate used in same

WO2012128375 Art A1 27. September 2012

Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012128375
Aktenzeichen: EP12761210
Anmeldetag: 16. März 2012
Veröffentlichung: 27. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B19/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NGK Insulators, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von