Photo active layer by silicon quantum dot and the fabrication method thereof

WO2012128564 Art A2 27. September 2012

Anmelder: Korea Research Institute Of Standards And Science 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012128564
Aktenzeichen: EP12760125
Anmeldetag: 22. März 2012
Veröffentlichung: 27. September 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/042H01L33/04H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Research Institute Of Standards And Science
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Research Institute of Standards and Science

Der Anmelder ist ein südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut für Metrologie mit Sitz in Daejeon, bekannt als KRISS. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik, ergänzt durch Halbleiterbauelemente, Software und Medizintechnik. Anmeldungen laufen seit 2002 durchgehend fort.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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