Methods for bonding semiconductor structures involving annealing processes, and bonded semiconductor structures formed using such methods

WO2012131075 Art A1 4. Oktober 2012

Anmelder: Soitec, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012131075
Aktenzeichen: EP12711199
Anmeldetag: 30. März 2012
Veröffentlichung: 4. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60H01L23/485

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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