Integrated circuit and method for reducing an impact of electrical stress in an integrated circuit

WO2012131425 Art A1 4. Oktober 2012

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012131425
Aktenzeichen: EP11862329
Anmeldetag: 25. März 2011
Veröffentlichung: 4. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H03K19/0175H03K17/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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