Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2012131919 Art A1 4. Oktober 2012

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012131919
Aktenzeichen: EP11861945
Anmeldetag: 29. März 2011
Veröffentlichung: 4. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/56H01L23/12H01L23/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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