Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2012132206 Art A1 4. Oktober 2012

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012132206
Aktenzeichen: EP12764397
Anmeldetag: 21. Februar 2012
Veröffentlichung: 4. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3205H01L21/768H01L23/52H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von