Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and soi substrate

WO2012132207 Art A1 4. Oktober 2012

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012132207
Aktenzeichen: EP12763525
Anmeldetag: 21. Februar 2012
Veröffentlichung: 4. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3205H01L21/822H01L23/52H01L27/04H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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