Semiconductor device and manufacturing method for same

WO2012132219 Art A1 4. Oktober 2012

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012132219
Aktenzeichen: EP12764881
Anmeldetag: 24. Februar 2012
Veröffentlichung: 4. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/08H01L21/76H01L21/762H01L21/8234H01L21/8238H01L27/088H01L27/092H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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