Method for forming gate insulating film and method for manufacturing semiconductor device

WO2012133433 Art A1 4. Oktober 2012

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012133433
Aktenzeichen: EP12765750
Anmeldetag: 27. März 2012
Veröffentlichung: 4. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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