Resist pattern formation method, radiation-sensitive resin composition, and resist film

WO2012133595 Art A1 4. Oktober 2012

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012133595
Aktenzeichen: EP12764667
Anmeldetag: 28. März 2012
Veröffentlichung: 4. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/039C08F220/10G03F7/004G03F7/38H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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