Zinc oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

WO2012134105 Art A2 4. Oktober 2012

Anmelder: SNU R&DB Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012134105
Aktenzeichen: EP12764758
Anmeldetag: 22. März 2012
Veröffentlichung: 4. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SNU R&DB Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 SNU R&DB Foundation

Südkoreanische Stiftung der Seoul National University für Forschungsförderung und Technologietransfer, verwaltet Patente und Kooperationen mit der Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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