Method and apparatus for the selective deposition of epitaxial germanium stressor alloys

WO2012134512 Art A1 4. Oktober 2012

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012134512
Aktenzeichen: EP11861989
Anmeldetag: 28. Juli 2011
Veröffentlichung: 4. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/205H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.783 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von