Methods of forming secured metal gate antifuse structures

WO2012134585 Art A1 4. Oktober 2012

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012134585
Aktenzeichen: EP11862270
Anmeldetag: 29. Dezember 2011
Veröffentlichung: 4. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L27/108H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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