Efficient Silicon-On-Insulator Grating Coupler
WO2012134632
Art A2
4. Oktober 2012
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012134632
- Aktenzeichen
- EP12763791
- Anmeldetag
- 7. Februar 2012
- Veröffentlichung
- 4. Oktober 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01S5/10G02B6/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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