Multi-Scale, Multi-Layer Diode Grid Array Rectenna
WO2012135096
Art A1
4. Oktober 2012
Anmelder: Battelle Memorial Institute 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012135096
- Aktenzeichen
- EP12718465
- Anmeldetag
- 26. März 2012
- Veröffentlichung
- 4. Oktober 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01Q1/24H02J17/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Battelle Memorial Institute
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Battelle Memorial Institute
Gemeinnützige US-amerikanische Forschungsorganisation mit Sitz in Columbus, Ohio, die angewandte Forschung und Entwicklung in Technik, Energie und Materialwissenschaften betreibt.
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