Silicon carbide semiconductor device with a gate electrode

WO2012135288 Art A1 4. Oktober 2012

Anmelder: General Electric Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012135288
Aktenzeichen: EP12718470
Anmeldetag: 28. März 2012
Veröffentlichung: 4. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/45H01L29/49H01L29/78H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: General Electric Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 General Electric

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Massachusetts. Historisch aktiv in Energieerzeugung, Luftfahrttriebwerken, Medizintechnik und Industrietechnik über verschiedene Geschäftsbereiche.

19.755 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von