Method for forming ultra-shallow doping regions by solid phase diffusion

WO2012135599 Art A1 4. Oktober 2012

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012135599
Aktenzeichen: EP12762811
Anmeldetag: 30. März 2012
Veröffentlichung: 4. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/70

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von