Method for manufacturing transistor and semiconductor device
WO2012135986
Art A1
11. Oktober 2012
Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012135986
- Aktenzeichen
- EP11862912
- Anmeldetag
- 9. August 2011
- Veröffentlichung
- 11. Oktober 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.
610 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.