Power semiconductor device

WO2012137651 Art A1 11. Oktober 2012

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012137651
Aktenzeichen: EP12767904
Anmeldetag: 28. März 2012
Veröffentlichung: 11. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/822H01L21/8234H01L27/04H01L27/06H01L27/088H02M1/08H03K17/08H03K17/687

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von