Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2012137760 Art A1 11. Oktober 2012

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012137760
Aktenzeichen: EP12767619
Anmeldetag: 3. April 2012
Veröffentlichung: 11. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/29H01L25/07H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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