Silicon Carbide Vertical Field Effect Transistor

WO2012137914 Art A1 11. Oktober 2012

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012137914
Aktenzeichen: EP12767533
Anmeldetag: 6. April 2012
Veröffentlichung: 11. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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