Nonvolatile memory device using a threshold voltage switching material and method for manufacturing same

WO2012138016 Art A1 11. Oktober 2012

Anmelder: Korea University Research and Business Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012138016
Aktenzeichen: EP11862854
Anmeldetag: 17. August 2011
Veröffentlichung: 11. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea University Research and Business Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea University Research and Business Foundation

Südkoreanische Einrichtung, die Forschungsprojekte und Technologietransfer der Korea University verwaltet, patentiert Ergebnisse aus universitärer Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin und überführt sie in Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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