Programmable array of silicon nanowire metal-oxide-silicon field effect transistor device and preparation method therefor

WO2012139382 Art A1 18. Oktober 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012139382
Aktenzeichen: EP11863355
Anmeldetag: 18. November 2011
Veröffentlichung: 18. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/105

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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