Variable Gain Amplifier

WO2012139665 Art A1 18. Oktober 2012

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012139665
Aktenzeichen: EP11804657
Anmeldetag: 5. Dezember 2011
Veröffentlichung: 18. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H03G1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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