Oxide semiconductor material and sputtering target
WO2012141066
Art A1
18. Oktober 2012
Anmelder: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012141066
- Aktenzeichen
- EP12771439
- Anmeldetag
- 5. April 2012
- Veröffentlichung
- 18. Oktober 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L21/363C01G19/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsui Mining & Smelting
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Nichteisenmetallen sowie der Herstellung von Materialien für die Elektronikindustrie.
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