Semiconductor device
WO2012141121
Art A1
18. Oktober 2012
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012141121
- Aktenzeichen
- EP12771522
- Anmeldetag
- 9. April 2012
- Veröffentlichung
- 18. Oktober 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/04H01L21/76H01L21/8234H01L27/088H01L29/739H01L29/78H02M3/155
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Vertreten von
-
Harrison IP Limited
Harrison IP Limited · Macclesfield