Semiconductor memory structure and method for manufacturing same

WO2012142735 Art A1 26. Oktober 2012

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012142735
Aktenzeichen: EP11863836
Anmeldetag: 15. August 2011
Veröffentlichung: 26. Oktober 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/112H01L21/8246H01L29/788H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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