Selective Silicon Nitride Etch
WO2012145657
Art A2
26. Oktober 2012
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012145657
- Aktenzeichen
- EP12774799
- Anmeldetag
- 20. April 2012
- Veröffentlichung
- 26. Oktober 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/306
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
10.783 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.