Bipolar Junction Transistor in Silicon Carbide With Improved Breakdown Voltage

WO2012150161 Art A1 8. November 2012

Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012150161
Aktenzeichen: EP12718636
Anmeldetag: 25. April 2012
Veröffentlichung: 8. November 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/73H01L29/732H01L29/40H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fairchild Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

275 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von