N-type doped pbte and pbse alloys for thermoelectric applications

WO2012151437 Art A2 8. November 2012

Anmelder: California Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012151437
Aktenzeichen: EP12779514
Anmeldetag: 3. Mai 2012
Veröffentlichung: 8. November 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L35/12H01L35/14H01L35/34

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: California Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 California Institute of Technology

Private Forschungsuniversität in Pasadena, Kalifornien (USA), mit Schwerpunkt auf Naturwissenschaften und Ingenieurwesen. Sie betreibt unter anderem das Jet Propulsion Laboratory und zählt zu den weltweit führenden Technikhochschulen.

1.276 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von