Fin field effect transistor and manufacture method thereof

WO2012151797 Art A1 15. November 2012

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012151797
Aktenzeichen: EP11865334
Anmeldetag: 10. August 2011
Veröffentlichung: 15. November 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8232H01L21/84H01L29/772H01L29/78H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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