Semiconductor structure and method for forming the same
WO2012155392
Art A1
22. November 2012
Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012155392
- Aktenzeichen
- EP11865835
- Anmeldetag
- 2. August 2011
- Veröffentlichung
- 22. November 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/51H01L29/78H01L21/28H01L21/265H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tsinghua University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Tsinghua University
Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.
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