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WO2012157546
Art A1
22. November 2012
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012157546
- Aktenzeichen
- EP12785956
- Anmeldetag
- 11. Mai 2012
- Veröffentlichung
- 22. November 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G09G5/00G03B21/00G03B21/14G09G3/20G09G5/36G09G5/377G09G5/38H04N5/74
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Vertreten von
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