Field effect transistor and semiconductor device

WO2012157625 Art A1 22. November 2012

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012157625
Aktenzeichen: EP12785560
Anmeldetag: 15. Mai 2012
Veröffentlichung: 22. November 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/316H01L21/318H01L21/336H01L29/778H01L29/78H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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