Silicon Carbide Substrate

WO2012157670 Art A1 22. November 2012

Anmelder: Hoya Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012157670
Aktenzeichen: EP12785154
Anmeldetag: 16. Mai 2012
Veröffentlichung: 22. November 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hoya Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hoya

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, aktiv in den Bereichen optische Gläser, Halbleiterfotomasken und medizinische Endoskopie- sowie Augenheilkundeprodukte.

1.653 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von