Method of lift-off patterning thin films in situ employing phase change resists

WO2012158393 Art A2 22. November 2012

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012158393
Aktenzeichen: EP12785559
Anmeldetag: 8. Mai 2012
Veröffentlichung: 22. November 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L51/40H01L51/05

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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