Ion-assisted direct growth of porous materials

WO2012158714 Art A1 22. November 2012

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012158714
Aktenzeichen: EP12723787
Anmeldetag: 15. Mai 2012
Veröffentlichung: 22. November 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/04C23C16/24C23C16/505H01L21/02H01J37/32H01J37/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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