Manufacturing method of envelope gate silicon nanometer diode with air side wall

WO2012159314 Art A1 29. November 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012159314
Aktenzeichen: EP11866089
Anmeldetag: 4. Juli 2011
Veröffentlichung: 29. November 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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