Wet etching-based method for producing silicon nanowire field effect transistor

WO2012159424 Art A1 29. November 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012159424
Aktenzeichen: EP11866178
Anmeldetag: 18. November 2011
Veröffentlichung: 29. November 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L21/762H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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