Halbleiterkomponente mit Mikrobrücken zur Einstellung eines Zugdehnungszustandes und Verfahren zu Seiner Herstellung
WO2012159869
Art A1
29. November 2012
Anmelder: Paul Scherrer Institut, ETH Zurich 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012159869
- Aktenzeichen
- EP12719001
- Anmeldetag
- 4. Mai 2012
- Veröffentlichung
- 29. November 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B81B3/00B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Paul Scherrer Institut
ETH Zurich - Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
ETH Zürich
Eidgenössische Technische Hochschule Zürich, Schweizer Hochschule mit Forschungsschwerpunkten in Natur-, Ingenieur- und Materialwissenschaften.
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