Method for producing gaas single crystal and gaas single crystal wafer

WO2012160781 Art A1 29. November 2012

Anmelder: DOWA Electronics Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012160781
Aktenzeichen: EP12789524
Anmeldetag: 16. Mai 2012
Veröffentlichung: 29. November 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/42C30B11/00C30B27/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: DOWA Electronics Materials Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 DOWA Electronics Materials

DOWA Electronics Materials ist ein japanisches Unternehmen der DOWA-Gruppe für elektronische Werkstoffe und Metallpulver. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Fertigungstechnik, ergänzt durch anorganische Chemie und Metallurgie. Anmeldungen reichen von 2001 bis in die Gegenwart.

471 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von