Material for forming passivation film for semiconductor substrates, passivation film for semiconductor substrates, method for producing passivation film for semiconductor substrates, solar cell element, and method for manufacturing solar cell element

WO2012161135 Art A1 29. November 2012

Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012161135
Aktenzeichen: EP12789804
Anmeldetag: 18. Mai 2012
Veröffentlichung: 29. November 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/312C08K3/00C08L25/18C08L27/12C08L71/10C08L101/02H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi Chemical Company, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

2.257 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik

Vertreten von