Method and apparatus for producing semiconductor thin film crystal

WO2012161265 Art A1 29. November 2012

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Corning Holding Japan G.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012161265
Aktenzeichen: EP12790004
Anmeldetag: 24. Mai 2012
Veröffentlichung: 29. November 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/52C23C16/42C30B25/02C30B29/08H01L21/205H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Corning Holding Japan G.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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