Nitride semiconductor laser element, epitaxial substrate, and method for fabricating nitride semiconductor laser element

WO2012161268 Art A1 29. November 2012

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., Sony Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012161268
Aktenzeichen: EP12789197
Anmeldetag: 24. Mai 2012
Veröffentlichung: 29. November 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Sony Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Sony Group

Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.

37.212 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von