Resistive random access memory using electric field enhancement layer and method for manufacturing same

WO2012162867 Art A1 6. Dezember 2012

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012162867
Aktenzeichen: EP11866657
Anmeldetag: 13. Dezember 2011
Veröffentlichung: 6. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10H01L45/00G11C13/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

581 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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