Vapor phase epitaxy method and light emitting element substrate manufacturing method

WO2012164827 Art A1 6. Dezember 2012

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012164827
Aktenzeichen: EP12793218
Anmeldetag: 8. Mai 2012
Veröffentlichung: 6. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/44C30B25/14C30B29/44H01L33/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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